为了进一步加强校间学术交流，把握行业发展方向，活跃学术氛围，推动学科的跨越式发展，2024年4月9日上午武汉纺织大学数理科学学院（微电子学院）邀请中车集团功率半导体与集成技术全国重点实验室副主任刘国友教授以及沙特阿拉伯阿卜杜拉国王科技大学李晓航教授分别做题为“大功率半导体技术现状及其进展”、“The fourth wave: ultrawide bandgap semiconductors”的学术报告。此次论坛由微电子学院院长陈长清教授主持，学院相关方向的老师、研究生和本科生参加，会议在行政楼8-201举行。
刘国友教授报告内容将涵盖功率半导体技术的演进与应用，突出其在变流技术和支撑“双碳”战略中的核心作用。主要聚焦于功率半导体的特点、工业控制与能源交通智能化的依赖，以及衬底材料与器件结构的发展。特别强调硅基大功率半导体技术，包括晶闸管和IGCT（集成门极换流晶闸管）技术的进展和在直流输电、柔性直流输电以及轨道牵引变流器等领域的应用。报告还提及新型电力系统中的IGBT（绝缘栅双极晶体管）技术与高压、中低压和一体化散热解决方案，智能芯片的功能集成，以及面向汽车电动化产品的功率器件解决方案。最后，报告探讨了从硅基到SiC衬底的技术挑战，包括材料、结构、封装技术的优化，以及相关的高功率密度应用的可靠性问题。同时，展望自主大功率半导体技术如何促进能源与交通技术创新与产业发展，以及中国在这些领域的发展趋势。
李晓航教授报告探讨超宽带隙半导体技术的第四次浪潮及其对全球科技领域的影响。报告突出AlN、Ga2O3、c-BN和金刚石等UWBG半导体在功率和射频应用上的突破性进展，及其在量子信息技术和深紫外光电子学等尖端领域的应用潜力。这些半导体是继硅和其他传统半导体后的新一代选择，预示着半导体技术的一次重大转变。并展示最新的相关研究成果，包括柔性Ga2O3器件，能够实现极低漏电流的混维结构GaN晶体管，无需刻蚀技术的micro-LED像素，以及集成UVC和可见光LED的单芯片解决方案。此外，还包括在硅基底上外延生长的高质量AlN材料，高组分AlGaO材料的烘烤工艺，以及首个实现的叠层宽带隙CMOS集成电路，这些进展都展示了UWBG半导体在提升设备性能和扩大应用领域方面的巨大潜力。
报告结束后，师生们踊跃发言提问，就报告中的具体问题及行业发展趋势与刘教授、李教授进行了深入交流。本次学术交流活动为数理学院的师生提供了一次宝贵的学术交流机会，拓展了师生们的视野和思路。
专家简介：
刘国友博士，正高级工程师，中车科学家，功率半导体与集成技术全国重点实验室副主任，长期从事功率半导体技术与微电子制造工艺的融合、创新与发展，入选国家“万人计划”科技领军人才，国务院特殊津贴专家，荣获 “光召科技奖”、“杰出工程师奖”和“全国创新争先奖”，武汉大学、湖南大学和西南交通大学兼职教授，IEEE、中国电子学会高级会员，国家宽禁带半导体工程研究中心技术委员会委员，全国半导体器件标准化技术委员会委员，Semi中国化合物半导体标准技术委员会主席。主持功率半导体国家重大科研与产业化项目10余项，以第一完成人荣获国家技术发明二等奖1项、主要完成人荣获国家科技进步1项、中国专利银奖1项、省部级科技奖励8项，发表论文100余篇、参编专著3部，授权国内发明专利124件、PCT发明专利7件，为中国大功率半导体技术追赶、超越与局部领先做出系统性、开创性贡献。
李晓航博士，沙特阿拉伯阿卜杜拉国王科技大学电气与计算机工程与应用物理副教授，创新中心副主任，Nature Photonics及Nature Electronics等期刊审稿人。乔治亚理工学院获得电气工程博士学位，并获得了该学院最高的研究生荣誉爱迪生奖。研究重点是用于下一代电子和光子学的超宽带隙半导体的前沿研究。他撰写发表了150多份期刊和200多份会议出版物。他获得了多个著名奖项，包括美国晶体生长协会颁发的Harold M.Manasevit青年研究员奖、SPIE D. J. Lovell奖学金、IEEE光子研究生奖学金和佐治亚理工大学40岁以下40岁以下青年奖。他的学生获得了IWN、ICNS和SPIE颁发的最佳学生奖。
